진공플라즈마
Dual Mode (Plasma Etching & Reactive Ion Etching)
CIONE 4
Dual Mode Vacuum Plasma – RIE & PE
| Process Mode | PE / RIE |
|---|---|
| Chamber | W.140 x D.200 x H.110 (mm) |
| Generator | 20~100kHz Max. 100W |
| MFC | Max. 100 sccm |
| Gauge Pressure | Atm ~ 5 x 10-4 Torr |
| Operation | Manual & Automatic |
| Geometry | W.440 x D.500 x H.560 (mm) |
Technical Data
Surface Treatment
(RIE Mode)
(RIE Mode)
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프로세스 챔버
- 플라즈마 모드 : 2중 전극의 RIE (Reactive Ion Etching) / PE (Plasma Etching)모드
- 챔버 내부 크기 : 140 x 200 x 110 (W x D x H, mm)
- 알루미늄 순수 통 가공으로 누설 최소화
- 균일한 가스 흐름 설계 (Patent No. 10-1697205)
플라즈마 전원공급기
- 주파수 : 20 ~ 100 kHz (10kHz Increment)
- 파워 : 최대 100W
- 자동 임피던스 매칭 : 출력 모니터링 & 제어
가스공급 시스템
- 최대 가스 공급 라인 : 3 채널
- 가스유량제어 : 전용 Mass Flow Controller
- 퍼지 라인 : 1ea
- 벤트 라인 : 1ea
- MFC 조절유량 : 최대 100 sccm
진공 시스템
- 진공게이지 측정범위 : Atm ~ 1 x 10-4 Torr
- 진공펌프 : 오일 로터리펌프 / 펌핑속도 : 200ℓ/min @ 60Hz / 최저도달압력 : 1 x 10-3 Torr
제어기
- 중앙처리장치 : 신호 컨트롤러 보드 상의 DSP 운영방식
- 사용자 인터페이스 7인치 터치스크린 PC로 풀 오토와 매뉴얼 프로세스 운용, 레시피 저장 및 공정 상황 그래프 지원
- 사용자 recipe name 저장 가능
- 프로세스 진행 상태 및 에러 실시간 감지
시스템 치수
- 메인 시스템 : 440 x 500 x 560 (W x D x H, mm)
- 진공펌프 : 460 x 160 x 250 (W x D x H, mm)
전극 조립도
