CVD 장치란? 

CVD의 기본 원리는 기판에 증착하고자 하는 물질을 고체 상태가 아닌 기체 상태인 가스로 주입하고

반응 챔버 내 기판 위에서 고온 분해 또는 고온 화학반응을 통해 증착시키는 방법입니다.

이때 원활한 반응을 위해 높은 온도가 필요하게 되므로 CVD는 보통 약 1,000℃ 정도에서 이루어집니다.

2D-Graphene CVD 장치

2차원 물질을 CVD 방식으로 합성하는 제품으로

펨토사이언스의 제품은 2차원 그래핀 합성과 플라즈마를 이용한 표면 개질을 통하여

2차원 물질의 특성을 변화시킬 수 있는 독창적인 공정을 제공합니다.